Expédition neutre en CO21 Traitement facile des retours
Aide et contact
Expédition neutre en CO21
Traitement facile des retours
Aide et contact

Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive (Noir)

Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
L'illustration peut être différente de l'original.
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
Mushkin MRA4S266GHHF8GX2, Mémoire vive Noir
€ 34,79
TVA comprise et frais d'expédition en sus à partir de€ 9,98
Détails Détails
Evaluez maintenant
En rupture de stock, prêt à être expédié dans 10 jours à compter de la commande
ComparerComparer
PartagerPartager

Distinctions

Description du produit

Le Mushkin MRA4S266GHHF8GX2 se compose de deux modules de mémoire DDR4-2666 de 8 Go de la série Redline. Équipés de dissipateurs thermiques « FrostByte », les modules SO-DIMM à 260 broches sont conformes à la norme PC4-21300 et conviennent à une horloge mémoire jusqu’à 2666 MHz à des latences de 16. Les modules nécessitent une tension de 1,2 volts.numéro d'article 1698031

Détails

TypeDDR4-SDRAM
CouleurNoir
EAN0846651029812
Référence du fabricantMRA4S266GHHF8GX2
SérieRedline
Capacité16 Go (2 x 8 Go)
Modules2 pièce
ConceptionSO-DIMM
ProfilsINTEL XMP
Connexion260-Pin
Tension1,2 Voltage
NormeDDR4-2666 (PC4-21300)
Horloge physique 1333 MHz
TimingsCAS Latency (CL)16
RAS-CAS delay (tRCD)17
Temps RAS Precharge (tRP) 17
Temps d'activité (EMR) de la ligne36
Plus d'informationsLa DDR4 est l’évolution de la DDR3 et offre un certain nombre d’innovations et d’avantages par rapport à son prédécesseur, tels que la consommation d’énergie jusqu’à 40 % inférieure, des vitesses plus élevées, une densité de données plus élevée (permet des modules de mémoire d’une capacité allant jusqu’à 128 Go, jusqu’à 512 Go à l’avenir) et une stabilité de fonctionnement améliorée grâce à des techniques avancées de correction d’erreurs telles que CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (détection de parité sur puce) et « Adressabilité par DRAM ».
Poids125 gramme(s)