Expédition neutre en CO21 Traitement facile des retours
Aide et contact
Expédition neutre en CO21
Traitement facile des retours
Aide et contact

G.Skill Ripjaws F4-2666C19S-32GRS module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR4 2666 MHz, Mémoire vive (Noir, 32 Go, 1 x 32 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM)

G.Skill Ripjaws F4-2666C19S-32GRS module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR4 2666 MHz, Mémoire vive Noir, 32 Go, 1 x 32 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
G.Skill Ripjaws F4-2666C19S-32GRS module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR4 2666 MHz, Mémoire vive Noir, 32 Go, 1 x 32 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
L'illustration peut être différente de l'original.
G.Skill Ripjaws F4-2666C19S-32GRS module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR4 2666 MHz, Mémoire vive Noir, 32 Go, 1 x 32 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
G.Skill Ripjaws F4-2666C19S-32GRS module de mémoire 32 Go 1 x 32 Go DDR4 2666 MHz, Mémoire vive Noir, 32 Go, 1 x 32 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
€ 60,90
TVA comprise et frais d'expédition en sus à partir de€ 9,98
Détails Détails
Evaluez maintenant
En rupture de stock, prêt à être expédié dans 18 jours à compter de la commande
ComparerComparer
PartagerPartager

Distinctions

Description du produit

Mémoire interne: 32 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 32 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 19numéro d'article 1713253

Détails

TypeDDR4-SDRAM
CouleurNoir
EAN4713294227287
Référence du fabricantF4-2666C19S-32GRS
SérieRipjaws
Capacité32 Go
Modules1 pièce
ConceptionSO-DIMM
Connexion260-Pin
Tension1,2 Voltage
NormeDDR4-2666 (PC4-21300)
Horloge physique 1333 MHz
TimingsCAS Latency (CL)19
RAS-CAS delay (tRCD)19
Temps RAS Precharge (tRP) 19
Plus d'informationsLa DDR4 est l’évolution de la DDR3 et offre un certain nombre d’innovations et d’avantages par rapport à son prédécesseur, tels que la consommation d’énergie jusqu’à 40 % inférieure, des vitesses plus élevées, une densité de données plus élevée (permet des modules de mémoire d’une capacité allant jusqu’à 128 Go, jusqu’à 512 Go à l’avenir) et une stabilité de fonctionnement améliorée grâce à des techniques avancées de correction d’erreurs telles que CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (détection de parité sur puce) et « Adressabilité par DRAM ».